Datasheet下载- 型号： NCV33152DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCV33152DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCV33152DR2G价格参考。ON SemiconductorNCV33152DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCV33152DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCV33152DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCV33152DR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款栅极驱动器，属于PMIC（电源管理集成电路）中的栅极驱动器类别。该器件主要用于驱动功率MOSFET或IGBT等功率开关器件，广泛应用于各种电力电子系统中。 其典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机控制器、DC-DC转换器和车载充电器等，NCV33152DR2G具备汽车级工作温度范围和高可靠性，适用于严苛的汽车环境。 2. 工业电源与电机驱动：用于工业逆变器、伺服电机驱动器和变频器中，驱动高功率IGBT或MOSFET，实现高效、稳定的电机控制。 3. 开关电源（SMPS）：在高效率电源转换系统中，如服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中，用于驱动功率开关器件，提高系统效率和可靠性。 4. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风力发电变流器中，用于控制功率器件的开关，实现能量的高效转换和管理。 该器件具备高驱动电流能力、宽工作电压范围以及良好的抗干扰能力，适合在高频、高功率环境下工作，是高性能功率转换系统中的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRVR DUAL HS 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NCV33152DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 55ns |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 6.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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