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产品简介:
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NAND128W3A2BNXE是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款NAND闪存存储器,属于高密度、高性能的非易失性存储器件。该型号广泛应用于需要可靠数据存储和较高读写速度的嵌入式系统与消费类电子产品中。 典型应用场景包括智能手机和平板电脑,用于操作系统、应用程序及用户数据的存储;在固态硬盘(SSD)或嵌入式多媒体卡(eMMC)模组中作为主存储单元,提升设备响应速度与运行效率。此外,该芯片也适用于工业控制设备、车载信息娱乐系统及物联网终端,因其具备良好的温度适应性和长期数据保持能力,可在较宽工作温度范围内稳定运行。 由于其采用标准接口和较小封装尺寸,NAND128W3A2BNXE适合空间受限但对存储容量有一定要求的便携式设备。同时,在监控摄像头、网络设备等需持续写入数据的场景中,也能提供可靠的存储支持。总体而言,该产品适用于对成本、性能与可靠性有综合需求的中端存储应用领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC FLASH 128MBIT 48TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NAND128W3A2BNXE |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 48-TSOP(12x20) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | 闪存 - NAND |
存储容量 | 128M(16M x 8) |
封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 576 |
格式-存储器 | 闪存 |
电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
速度 | - |