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  • 型号: MXLSMCJLCE12AE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMCJLCE12AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMCJLCE12AE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMCJLCE12AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MXLSMCJLCE12AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MXLSMCJLCE12AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的TVS二极管型号MXLSMCJLCE12AE3,属于瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor, TVS)系列。这类器件主要用于保护电子电路免受瞬态过电压事件的影响,例如静电放电(ESD)、雷击感应浪涌、开关噪声和其他形式的电压尖峰。

 应用场景:

1. 通信设备  
   - 用于保护电话线路、网络接口、数据传输线和射频模块等免受ESD和浪涌冲击。
   - 常见于路由器、交换机、调制解调器和其他通信设备中。

2. 消费电子产品  
   - 在电视、音响系统、家用电器等产品中,防止因外部干扰或内部开关操作引起的电压尖峰损坏敏感电路。
   - 特别适用于USB端口、HDMI接口和其他高速数据接口的保护。

3. 工业控制  
   - 在工业自动化设备中,保护传感器信号线、控制总线和电源输入端口。
   - 抑制由电机启动/停止或电磁干扰(EMI)引起的瞬态电压。

4. 汽车电子  
   - 保护车载电子系统,如导航系统、娱乐系统、发动机控制单元(ECU)等。
   - 防止由于负载突降(Load Dump)或长电缆感应产生的高电压对电路造成损害。

5. 医疗设备  
   - 用于患者监护仪、超声波设备和其他精密医疗仪器中,确保其在复杂电磁环境中稳定运行。
   - 提供关键电路的可靠保护以保障患者安全。

6. 电源管理  
   - 在AC-DC或DC-DC转换器中,防止输入电压波动或反向电压对功率级元件的破坏。
   - 适用于适配器、充电器和不间断电源(UPS)等应用。

 性能特点:
- 低电容设计:适合高速数据线路保护,减少信号失真。
- 高浪涌能力:能够承受多次重复的瞬态电流冲击而不失效。
- 快速响应时间:在纳秒级别内钳位过电压,有效保护后级电路。
- 宽工作温度范围:适应各种恶劣环境条件下的使用需求。

总之,MXLSMCJLCE12AE3凭借其卓越的性能参数,广泛应用于需要高可靠性保护的各种电子系统中,确保设备在面对瞬态电压威胁时仍能保持正常运作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10562-msmclce-pdf

产品图片

产品型号

MXLSMCJLCE12AE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

100pF @ 1MHz

供应商器件封装

DO-214AB (SMCJ)

其它名称

1086-12236

功率-峰值脉冲

1500W (1.5kW)

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DO-214AB,SMC

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

13.3V

电压-反向关态(典型值)

12V

电压-箝位(最大值)@Ipp

19.9V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

75A

电源线路保护

类型

齐纳

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