Datasheet下载- 型号： MUN2231T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2231T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2231T1价格参考。ON SemiconductorMUN2231T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2231T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2231T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2231T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与驱动：适用于5V/3.3V MCU（如STM32、PIC、Arduino）IO口直接驱动小功率负载，无需外接偏置电阻，提升PCB空间利用率与可靠性。 2. LED开关控制：常用于指示灯、背光或状态灯的通断控制，支持最大100mA集电极电流（IC），配合限流电阻可安全驱动多只LED。 3. 继电器/小型电磁阀驱动：作为低功耗开关，驱动线圈电压≤24V、吸合电流≤100mA的微型继电器，实现隔离控制与电平匹配。 4. 信号缓冲与反相器应用：利用其饱和开关特性，构建简单反相逻辑单元（输入高→输出低），用于噪声抑制或时序整形。 5. 电池供电设备：具备低输入阈值（典型VBIAS≈0.7V）、低待机电流（ICBO＜100nA），适合便携式设备、IoT传感器节点等对功耗敏感场景。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低、一致性好，广泛应用于消费电子、家电控制板、工业HMI及汽车电子辅助模块中。注意：不适用于线性放大或高频开关（fT仅≈250MHz，且非优化射频设计）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2231T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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