Datasheet下载- 型号： MUN2211T3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2211T3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2211T3价格参考。ON SemiconductorMUN2211T3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2211T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2211T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2211T3 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10kΩ），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与驱动：用于微控制器（如STM32、Arduino GPIO）输出直接驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； 2. 开关控制电路：在低功耗消费电子（如智能手环、遥控器）中作为负载开关，实现5V/3.3V系统对LED、小电流指示灯（≤100mA）的高效通断控制； 3. 传感器接口电路：配合光耦或霍尔传感器构成隔离式信号调理前端，提升抗干扰能力； 4. 电池供电设备：得益于低饱和压降（VCE(sat)≈0.25V @ IC=50mA）和较小输入驱动电流（IB≈0.3mA），可延长便携设备电池寿命； 5. 替代传统分立方案：在空间受限应用中，以单颗器件替代“三极管+2颗电阻”方案，提高装配良率与可靠性。 注意：该器件不适用于线性放大或高频（>10MHz）场景，最大集电极电流为100mA，建议工作在开关状态，并确保功耗不超过200mW（需考虑散热）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2211T3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MUN2211T3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商