Datasheet下载- 型号： MUN2136T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2136T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2136T1价格参考。ON SemiconductorMUN2136T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2136T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2136T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2136T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与驱动：适用于5V/3.3V MCU或FPGA的GPIO直接驱动，无需外接偏置电阻，可将低电流逻辑信号（如微控制器输出）可靠地转换为足够电流驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极。 2. LED指示灯控制：常用于消费电子、工业面板等设备中作为LED开关，支持最大100mA集电极电流（IC），具备良好饱和特性，降低导通压降，提升能效。 3. 负载开关与信号切换：在电池供电设备（如便携式仪表、IoT节点）中用作低功耗、高可靠性开关，替代分立晶体管+电阻方案，节省PCB面积并提升一致性。 4. 接口保护与缓冲：配合上拉/下拉需求，提供确定的开关阈值和抗干扰能力，适用于I²C总线缓冲、按键检测等弱信号处理场景。 该器件采用SOT-23小体积封装，具备±50V VCEO、100mA IC额定值及典型hFE=160，兼具成本效益与设计简洁性，广泛应用于家电控制板、电源管理模块、汽车电子辅助电路（非安全关键系统）及通用工业控制单元中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2136T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2136T1OS |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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