Datasheet下载- 型号： MTZJT-779.1B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTZJT-779.1B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTZJT-779.1B价格参考。ROHM SemiconductorMTZJT-779.1B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTZJT-779.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTZJT-779.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD稳压二极管 9.1V 5MA |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor MTZJT-779.1B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MTZJT-779.1B |
| PCN过时产品 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | MSD |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | DO-204AG，DO-34，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-34 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.79 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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