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- 型号： MTY30N50E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTY30N50E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTY30N50E价格参考。ON SemiconductorMTY30N50E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTY30N50E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTY30N50E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MTY30N50E是一款N沟道增强型高压功率MOSFET（单管），主要应用于中高功率开关场景。其典型参数包括：漏源电压VDS = 500 V，连续漏极电流ID = 30 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 0.18 Ω（典型值），具备快速开关特性与低导通损耗。 该器件广泛用于工业及消费类电源系统，如： - 开关电源（SMPS）：AC-DC适配器、服务器/通信电源中的主开关管； - 电机驱动：中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥/半桥驱动； - 照明电子：LED驱动电源中的PWM调光开关； - 家电控制：空调压缩机、洗衣机变频模块、电磁炉等需500V耐压等级的功率开关环节； - 逆变与PFC电路：作为升压型PFC主开关或离线式逆变器输出级。 其TO-247封装提供良好散热能力，适合自然冷却或风冷设计；内置体二极管具备一定反向恢复能力，适用于硬开关拓扑。需注意栅极驱动电压推荐为10–15 V，避免低于阈值（VGS(th) ≈ 2–4 V）导致导通不充分，同时应做好dv/dt和过压保护以提升系统可靠性。
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