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- 型号： MTP9N25E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTP9N25E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP9N25E价格参考。ON SemiconductorMTP9N25E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTP9N25E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP9N25E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTP9N25E 是 ON Semiconductor（安森美）出品的一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 功率 MOSFET，额定参数为：VDSS = 250 V，ID（连续）= 9 A，RDS(on) ≈ 0.35 Ω（典型值，VGS = 10 V），采用 TO-220 封装。 其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：常用于反激式、正激式或LLC谐振变换器的主开关管，适用于24–48 V输入、百瓦级AC/DC适配器、工业电源模块等。 - 电机控制：驱动中小功率直流有刷电机或步进电机的H桥/半桥电路，如电动工具、家用电器（吸尘器、风扇）、自动化设备中的调速与启停控制。 - 照明电子镇流器与LED驱动：在高效率、高可靠性的LED恒流驱动电路中作PWM开关元件，尤其适用于隔离型降压/升降压拓扑。 - 逆变与DC-AC转换：在小功率离网逆变器、UPS后备电源或太阳能控制器中承担DC侧高频开关功能。 - 电感负载开关与保护电路：如继电器驱动、电磁阀控制、浪涌抑制及过流保护模块等，得益于其快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒）和坚固的体二极管。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS Rated），适合存在感性关断尖峰的应用环境；同时具备较低的栅极电荷（Qg ≈ 25 nC），利于高频高效工作。需注意合理设计驱动电路（推荐VGS ≥ 10 V以确保充分导通）及散热措施（TO-220封装需配合适当散热片）。
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