【未分类_MTP6P20E】封装/厂家_MTP6P20E中文资料_价格

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型号： MTP6P20E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP6P20E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP6P20E价格参考。ON SemiconductorMTP6P20E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTP6P20E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP6P20E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTP6P20E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型垂直DMOS晶体管（MOSFET），采用TO-220封装，额定电压为–200 V，连续漏极电流为–3.5 A（Tc = 25°C），具有低栅极电荷和快速开关特性。其典型应用场景包括：

1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、离线式AC-DC适配器中的同步整流或高压侧开关（配合驱动电路），尤其在反激式或有源钳位拓扑中作辅助开关。

2. 电机控制：用于中小功率直流电机的H桥驱动电路中作为上桥臂P-MOSFET（需电平移位或自举驱动），实现方向与制动控制，常见于电动工具、家电（如风扇、水泵）等。

3. 负载开关与电源通断控制：在工业控制板、通信设备或嵌入式系统中，用作高侧负载开关，实现对–200 V以下负压/高压模块的受控上电与断电，具备过载保护兼容性。

4. LED驱动与照明系统：在高压LED恒流驱动电路中作为调光开关或使能控制元件，支持PWM调光。

5. 浪涌/ESD保护电路：凭借其雪崩耐量（UIS Rated），可设计用于输入端初级过压钳位或防反接保护（配合N-MOSFET构成理想二极管）。

注意：该器件为P沟道，适合高侧开关应用，但需注意栅极驱动电压（VGS ≤ –10 V fully enhanced）及散热设计（RθJC ≈ 40°C/W）。不推荐用于高频（>100 kHz）或大电流连续导通场景，宜搭配合适驱动与散热方案使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MTP6P20E
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1 欧姆 @ 3A，10V
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	MTP6P20EOS
功率-最大值	75W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A （Tc）