【未分类_MTD5N25ET4】封装/厂家_MTD5N25ET4中文资料_价格

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型号： MTD5N25ET4
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTD5N25ET4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD5N25ET4价格参考。ON SemiconductorMTD5N25ET4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTD5N25ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD5N25ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTD5N25ET4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要参数包括：耐压250V、连续漏极电流5A（Tc=25°C）、Rds(on)典型值为0.75Ω（Vgs=10V），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具备良好的热性能与开关特性。

该器件适用于中等功率、高效率的直流控制场景，典型应用包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关或次级同步整流；  
✅ 电机控制：小型直流电机（如风扇、打印机、电动工具）的H桥或单路驱动电路；  
✅ 电源管理模块：负载开关、电子保险丝、电池保护电路（如便携设备电源通断控制）；  
✅ 照明系统：智能LED调光/调色控制器中的PWM开关单元；  
✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代方案（固态开关），实现低功耗、长寿命、无触点切换。

其TO-252封装便于PCB布局与散热，配合较低的栅极电荷（Qg≈12nC）和快速开关特性，适合工作频率在100kHz以内的中频应用。需注意：实际使用中应合理设计驱动电路（确保Vgs≥10V以充分导通）、添加栅极电阻抑制振荡，并配合散热措施保障长期可靠性。不推荐用于高频谐振拓扑或大电流连续工况（如>3A持续导通需加强散热）。

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