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- 型号： MTD3N25E1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD3N25E1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD3N25E1价格参考。ON SemiconductorMTD3N25E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTD3N25E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD3N25E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD3N25E1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列（采用SO-8封装），具有3A连续漏极电流、250V耐压、低导通电阻（典型RDS(on) ≈ 1.4Ω @ VGS=10V）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 中小功率DC-DC转换器：常用于反激式或降压（Buck）拓扑的次级侧同步整流或主开关，提升效率并减小热耗； 2. 电机驱动电路：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机、电动工具）的H桥或半桥驱动，双MOSFET结构便于紧凑布局； 3. 电源管理模块：在多路负载开关、热插拔保护或电源排序电路中，利用其集成双管优势实现冗余控制或互补驱动； 4. LED驱动与背光控制：用于中功率LED恒流调光或区域背光开关，支持PWM高频调光； 5. 工业控制接口：作为PLC输出端口、继电器替代开关或传感器负载驱动器件，具备一定抗浪涌能力。 该器件内置ESD保护、符合RoHS标准，且SO-8封装便于自动化贴装与散热设计，适用于空间受限、成本敏感且需中等电压/电流能力的消费电子、工业控制及汽车电子（非安全关键系统）等场景。注意：不适用于高可靠性车规主驱或高压AC输入前端应用。
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