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- 型号： MTD2N50E1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD2N50E1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD2N50E1价格参考。ON SemiconductorMTD2N50E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTD2N50E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD2N50E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD2N50E1 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，额定电压500V、连续漏极电流2A（Tc=25℃），具备低导通电阻（Rds(on)典型值3.5Ω）、快速开关特性和内置ESD保护。 其典型应用场景包括： 🔹 中小功率离线式开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关或辅助电源电路； 🔹 LED照明控制：用于恒流/调光驱动电路中的PWM开关管，尤其适用于非隔离型降压（Buck）或反激（Flyback）拓扑； 🔹 工业控制与家电：如电机启动控制、继电器替代、电磁阀驱动、电饭煲/微波炉等小功率负载的电源管理； 🔹 电池管理系统（BMS）及电源保护电路：作为过压/过流保护的后级开关或充放电路径控制器件； 🔹 通信设备与网络终端：用于PoE（以太网供电）受电端（PD）的DC/DC前端开关，或板级电源时序控制。 该器件因高耐压、良好热性能（DPAK封装便于散热）和可靠性，适合中低频（<100kHz）开关应用，不推荐用于高频谐振或大电流连续导通场景。设计时需注意栅极驱动电压（建议10V以上确保充分导通）、PCB散热布局及雪崩耐量（具备UIS能力）的合理利用。
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