图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MTB9N25ET4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB9N25ET4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB9N25ET4价格参考。ON SemiconductorMTB9N25ET4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTB9N25ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB9N25ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB9N25ET4 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，典型参数：VDS = 250 V，ID（连续）= 9 A，RDS(on) ≈ 0.35 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与内置体二极管。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； ✅ 电机控制：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥驱动电路； ✅ 工业控制：在PLC输出模块、继电器替代、电磁阀/螺线管驱动等中频（≤100 kHz）开关应用中提供高可靠性； ✅ 照明系统：作为LED恒流驱动中的PWM调光开关或隔离式反激拓扑的主功率器件； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于中高压电池组的充放电保护回路（如过流/短路保护开关）。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的工况；但需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 2–4 V），建议使用≥10 V驱动以确保充分导通并降低导通损耗。不推荐用于高频（>500 kHz）或零电压开关（ZVS）等对寄生参数敏感的拓扑。 综上，MTB9N25ET4 定位于中高压、中电流、通用型硬开关应用，兼顾性价比与鲁棒性，广泛用于工业、消费电子及基础电源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MTB9N25ET4 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商