【未分类_MTB6N60E】封装/厂家_MTB6N60E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MTB6N60E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB6N60E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB6N60E价格参考。ON SemiconductorMTB6N60E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB6N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB6N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB6N60E 是一款 N 沟道增强型高压 MOSFET（600V，6A，Rds(on) 典型值 1.2Ω），由 MagnaChip（现属 SK hynix）生产（品牌标识常为“-”，即无独立子品牌，归属原厂标准系列）。其典型应用场景包括：

- 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、LED 驱动电源、PC 电源副边/辅助电源等，承担高频（数十至百 kHz）硬开关任务，凭借低导通损耗与良好雪崩耐量提升效率与可靠性。  
- 电机控制：用于小功率直流无刷电机（BLDC）驱动模块中的上/下桥臂开关，或风扇、水泵等家电电机的 PWM 调速电路。  
- 逆变器与 UPS：在离线式不间断电源或小型光伏微逆变器中，作为 DC-AC 转换级的功率开关器件。  
- 工业控制与电源模块：如 PLC 输出驱动、继电器替代、DC-DC 隔离模块中的主开关管。  

该器件采用 TO-220AB 封装，具备良好的热传导性，适合自然冷却或加装小型散热片；内置体二极管具备一定续流能力，但高频应用建议外置快恢复二极管以优化性能。需注意栅极驱动电压（推荐 10–15V）、避免米勒平台误开通，并确保 PCB 布局减小寄生电感以抑制电压尖峰。  

（字数：398）

产品参数图文手册常见问题