【未分类_MTB3N60E】封装/厂家_MTB3N60E中文资料_价格

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型号： MTB3N60E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB3N60E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB3N60E价格参考。ON SemiconductorMTB3N60E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB3N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB3N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB3N60E 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，额定电压 600 V，连续漏极电流 3.0 A（Tc=25°C），典型导通电阻 Rds(on) 约 3.0 Ω，具备快速开关特性与内置体二极管。

其主要应用场景包括：  
1. 中小功率开关电源（SMPS）：如适配器、LED 驱动电源、PC 主板辅助电源中的 PWM 主开关管（工作在 20–100 kHz）；  
2. 离线式 AC-DC 转换器：适用于反激（Flyback）拓扑，尤其在 15–30 W 输出功率范围，兼顾效率与成本；  
3. LED 照明驱动电路：用于恒流/恒压控制的初级侧开关，支持调光兼容设计；  
4. 工业控制与家电电源模块：如电磁炉、变频风扇、小型电机驱动的隔离式供电单元；  
5. 电池管理系统（BMS）保护电路：作为高压侧充放电控制开关（需配合驱动与保护电路使用）。

该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），适合应对感性负载关断时的电压尖峰，但不推荐用于高频谐振（如 LLC）或大电流硬开关场合。实际应用中需注意散热设计（建议加装散热片）、栅极驱动稳定性（推荐 10–15 V 驱动电压）及 PCB 布局以抑制 EMI。

（字数：298）

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