【未分类_MTB15N06V】封装/厂家_MTB15N06V中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MTB15N06V
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB15N06V由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB15N06V价格参考。ON SemiconductorMTB15N06V封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB15N06V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB15N06V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB15N06V 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型垂直双扩散MOSFET（VDMOS），额定参数为60V耐压、15A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至0.045Ω（Vgs=10V）。其采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备优良的热性能和开关特性。

该器件主要适用于中功率直流/直流转换场景，如：  
- 电源适配器与充电器中的同步整流或主开关管；  
- 工业及消费类设备的DC-DC降压（Buck）转换器、电机驱动H桥的低端开关；  
- LED恒流驱动电源中的PWM调光开关；  
- 汽车电子辅助系统（如车窗升降、座椅调节、风扇控制等）中的12V负载开关（符合AEC-Q101可靠性标准，但需确认具体批次是否为汽车级版本）；  
- UPS、逆变器及智能电表中的功率控制模块。

其低导通损耗与快速开关能力（典型tₐₙ≈15ns, tₒff≈30ns）有助于提升系统效率与响应速度。设计时需注意PCB散热设计（推荐大面积铜箔+过孔散热）及栅极驱动保护（避免dv/dt误导通），并建议配合TVS或RC缓冲电路以抑制电压尖峰。

（注：实际应用前请查阅最新官方数据手册，确认是否为汽车级型号及具体封装热阻参数。）

产品参数图文手册常见问题

样品试用

万种样品免费试用

去申请