Datasheet下载- 型号： MT8HTF6464HDY-53EB3
- 制造商： Micron Technology Inc
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT8HTF6464HDY-53EB3由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT8HTF6464HDY-53EB3价格参考。Micron Technology IncMT8HTF6464HDY-53EB3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT8HTF6464HDY-53EB3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT8HTF6464HDY-53EB3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器模块型号为MT8HTF6464HDY-53EB3，属于存储器 - 模块类别。该型号是一种高密度DRAM内存模组，广泛应用于需要高性能和大容量内存的场景。以下是其主要应用场景： 1. 服务器和数据中心 该模块适用于企业级服务器和数据中心，支持多核处理器的高效运行，满足大数据处理、云计算和虚拟化环境对内存性能和可靠性的要求。 2. 高性能计算（HPC） 在科学计算、工程模拟和人工智能训练等高性能计算领域，此模块能够提供快速的数据访问速度和高带宽，确保复杂算法的高效执行。 3. 网络设备 高速路由器、交换机和其他网络基础设施设备需要大容量内存来缓存数据包和加速数据传输，这种模块可以满足这些需求。 4. 工作站 对于图形设计、视频编辑和3D建模等专业应用，工作站需要强大的内存支持，以实现流畅的操作体验和高效的多任务处理。 5. 嵌入式系统 在工业自动化、医疗设备和通信系统中，这种模块可提供稳定的内存解决方案，确保系统的实时性和可靠性。 6. 游戏和娱乐 游戏主机和高端个人电脑需要高性能内存来支持复杂的图形渲染和高帧率游戏体验，此模块能够满足这些需求。 总结来说，MT8HTF6464HDY-53EB3凭借其高密度、低延迟和高可靠性，适合用于对内存性能要求极高的各种场景，尤其是在企业级应用和高性能计算环境中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR2 512MB 200-SODIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT8HTF6464HDY-53EB3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 其它名称 | 557-1199 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 封装/外壳 | 200-SODIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 533MT/s |
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