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- 型号： MT58L256L18P1T-10
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT58L256L18P1T-10由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT58L256L18P1T-10价格参考。Micron Technology IncMT58L256L18P1T-10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT58L256L18P1T-10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT58L256L18P1T-10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT58L256L18P1T-10 是由美光（Micron）推出的低功耗、高性能QDR（Quad Data Rate）SRAM存储器，容量为256Mb（32M×8），采用165球BGA封装，工作频率达200MHz（10ns周期），支持双倍数据速率读写。其典型应用场景包括：高速网络设备（如核心路由器、交换机中的包缓冲与查找表缓存）、电信基础设施（基站基带处理、OTN/SDH帧缓存）、测试测量仪器（高速数据采集与实时波形缓存）、以及FPGA协处理器系统中作为低延迟共享缓存或流数据暂存区。该器件具备低功耗特性（待机电流<100μA）、工业级温度范围（–40°C至+95°C）及高可靠性，适用于对时序敏感、吞吐量大且需确定性延迟的关键嵌入式系统。注意：型号中“-”并非品牌缺失，而是行业惯例中常省略前缀的简写形式，实际品牌为Micron（美光）。
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