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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-25:B 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,广泛应用于需要高速数据处理和大容量内存支持的场景。该型号的具体应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器、交换机等通信设备中,用于高速缓存转发信息,提高数据传输效率。 2. 工业控制与自动化系统:在PLC、工业计算机等设备中提供稳定的大容量内存支持,保障复杂运算和实时响应。 3. 视频监控系统:用于高清视频流的缓存与处理,满足安防设备对高带宽和大内存的需求。 4. 嵌入式系统:如医疗设备、智能终端等对空间和性能有要求的场合,提供紧凑而高效的内存解决方案。 5. 测试与测量仪器:用于高精度数据采集与分析,支持快速处理大量实验或监测数据。 该产品具备良好的稳定性和兼容性,适用于多种高要求工业环境,是高性能嵌入式与通信系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-25:B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 散装 |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |