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产品简介:
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MT47H32M16CC-5E:B 是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR SDRAM存储器,属于高性能同步动态随机存取存储器。该型号为8M x 16位组织结构,总容量为128Mb(16MB),采用TSOP-II封装,工作电压为2.5V,支持DDR400(200MHz时钟,400Mbps数据速率)传输标准,延迟等级CL=2.5,适用于对速度和功耗有要求的嵌入式系统。 其主要应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制设备、嵌入式处理器系统(如基于PowerPC或ARM架构的主板)、视频监控设备、打印机及多功能办公设备等。由于具备较高的数据吞吐能力和稳定性,该芯片常用于需要实时数据处理但不需大容量内存的中低端嵌入式平台。 此外,MT47H32M16CC-5E:B也广泛应用于消费类电子产品中的图像处理模块或网络模块,作为主控芯片的配套内存使用。其工业级设计使其能在较宽温度范围内稳定运行,适合严苛环境下的长期工作。 综上,该存储器适用于中小容量、高可靠性和中等性能需求的嵌入式与工业应用领域,是许多传统和工业级电子设备中的关键存储组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 5NS 84FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT47H32M16CC-5E:B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 84-FBGA(12x12.5) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M (32M x 16) |
| 封装/外壳 | 84-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 5ns |