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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT46V64M8P-75:D TR 是一款容量为512Mb(64M x 8)的DRAM芯片,属于异步静态随机存取存储器(SRAM)类别。该型号具有低功耗、高速访问(访问时间75ns)的特点,适用于对数据存取速度和稳定性有较高要求的应用场景。 典型应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机等,用于缓存程序指令或实时数据。 2. 通信设备:如路由器、交换机中的缓冲存储器,用于临时存储数据包。 3. 汽车电子系统:如车载导航、ADAS系统中需要快速响应的数据处理模块。 4. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪等设备中的图像缓存。 5. 测试与测量仪器:用于高速数据采集与暂存,确保信号处理的实时性。 该SRAM芯片因无需刷新电路、响应速度快、可靠性高,特别适合需频繁读写、延迟敏感的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT46V64M8P-75:D TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 66-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 512M(64M x 8) |
| 封装/外壳 | 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 速度 | 7.5ns |