Datasheet下载- 型号： MT41J512M8RH-093:E
- 制造商： Micron Technology Inc
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41J512M8RH-093:E由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41J512M8RH-093:E价格参考。Micron Technology IncMT41J512M8RH-093:E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT41J512M8RH-093:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41J512M8RH-093:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号MT41J512M8RH-093:E是一款DDR3L SDRAM（低电压双数据速率第三代同步动态随机存取存储器）。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 移动设备 - DDR3L是专为低功耗设计的存储器，适用于对功耗要求较高的移动设备，如智能手机、平板电脑和超极本。这些设备需要在高性能和低功耗之间取得平衡，而MT41J512M8RH-093:E正好满足这一需求。 2. 嵌入式系统 - 该型号存储器可用于工业控制、网络设备、医疗设备和车载信息系统等嵌入式应用。其高可靠性和稳定性使其成为复杂嵌入式系统的理想选择。 3. 服务器与数据中心 - 虽然DDR3L逐渐被更新的DDR4和DDR5取代，但在某些对成本敏感或功耗有限制的服务器和数据中心环境中，DDR3L仍可作为经济高效的解决方案。 4. 消费电子产品 - 包括智能电视、机顶盒、游戏主机等消费类电子产品。这些设备需要快速的数据处理能力以支持高清视频播放、图形渲染等功能，而DDR3L能够提供足够的带宽和性能。 5. 物联网（IoT）设备 - 在物联网领域，这款存储器可以用于网关、传感器节点和其他智能设备中，帮助实现数据采集、处理和传输。 技术特性： - 容量：单颗芯片容量为4Gb（512Mb x 8）。 - 工作电压：1.35V（低电压版本），有助于降低功耗。 - 速度：支持高达1600 MT/s的数据传输速率。 - 封装形式：采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适合高密度电路板设计。 综上所述，MT41J512M8RH-093:E凭借其低功耗、高性能和可靠性，广泛应用于移动设备、嵌入式系统、服务器、消费电子产品以及物联网设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41J512M8RH-093:E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA （9x10.5） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4G（512M x 8） |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 速度 | 1066MHz |
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