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产品简介:
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品牌为Micron Technology Inc.、分类为存储器、型号为MT41J512M4HX-15E:D的器件是一款DRAM(动态随机存取存储器)模块,常用于高性能计算和数据密集型应用场景。该型号属于DDR3 SDRAM类型,具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于需要快速访问大量数据的系统。 其主要应用场景包括: 1. 服务器与数据中心:用于提升服务器处理能力和多任务并行处理效率,支持大规模数据库、云计算和虚拟化环境。 2. 工业控制与自动化设备:在高可靠性要求的工业系统中提供稳定的数据缓存与运行支持。 3. 网络通信设备:如高端路由器、交换机等,用于高速数据转发和临时数据存储。 4. 嵌入式系统与高性能计算平台:例如图像处理设备、视频编辑工作站等,满足大数据量实时处理需求。 该存储器模块具备良好的兼容性与稳定性,适合对性能和可靠性有较高要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR3 SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT41J512M4HX-15E:D |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 78-FBGA(9x11.5) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | DDR3 SDRAM |
存储容量 | 2G(512M x 4) |
封装/外壳 | 78-TFBGA |
工作温度 | 0°C ~ 95°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
速度 | 667MHz |