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- 型号： MT29F1G08ABAEAWP:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F1G08ABAEAWP:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F1G08ABAEAWP:E TR价格参考。Micron Technology IncMT29F1G08ABAEAWP:E TR封装/规格：存储器， FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP。您可以下载MT29F1G08ABAEAWP:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29F1G08ABAEAWP:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT29F1G08ABAEAWP:E TR是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款NAND闪存存储器，容量为1Gb（128MB），采用8-bit并行接口，属于原始NAND闪存芯片，常用于嵌入式系统和消费类电子产品中。 该型号主要应用于对成本敏感且需要中等容量非易失性存储的设备。典型应用场景包括：工业控制设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、打印机与复印机固件存储、汽车电子系统（如车载信息娱乐系统或行车记录仪）、安防监控设备以及各类嵌入式控制器中的程序存储与数据缓存。 由于其采用小型化封装（如TSOP），适合空间受限的设计，并具备良好的可靠性和耐久性，适用于在较宽温度范围内工作的工业级环境。此外，该芯片常作为主控芯片的外部存储单元，用于存放操作系统、应用程序代码或用户数据。 总体而言，MT29F1G08ABAEAWP:E TR广泛应用于需要稳定、低成本、中等容量闪存的嵌入式和工业领域，是传统并行NAND市场中成熟可靠的解决方案之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 1GBIT TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29F1G08ABAEAWP:E TR |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP（12x20） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 1G（128M x 8） |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | - |
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