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- 型号： MT18HVF6472Y-53EB1
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT18HVF6472Y-53EB1由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT18HVF6472Y-53EB1价格参考。Micron Technology IncMT18HVF6472Y-53EB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT18HVF6472Y-53EB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT18HVF6472Y-53EB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT18HVF6472Y-53EB1 是美光（Micron Technology Inc.）推出的高性能RDIMM（Registered DIMM）内存模块，属于DDR4 ECC Registered类型，容量为64GB，速率2133 MT/s（PC4-17000），工作电压1.2V，采用288-pin UDIMM/RDIMM封装，支持ECC纠错与寄存器缓冲，适用于高可靠性、高密度计算场景。 该模块主要面向企业级与数据中心应用： - 服务器与云计算平台：用于主流x86架构双路/四路服务器（如Dell PowerEdge、HPE ProLiant、Lenovo ThinkSystem），支撑虚拟化（VMware/Hyper-V）、容器化（Kubernetes）及云原生应用； - 高性能计算（HPC）与AI训练：为CPU密集型任务（如科学模拟、基因分析、金融建模）提供大容量、低延迟、高稳定内存支持； - 关键业务系统：在数据库（Oracle、SQL Server）、ERP（SAP HANA内存数据库）、实时交易系统中保障数据完整性与系统连续性（得益于ECC+Register双重可靠性设计）； - 边缘AI服务器与网络设备：适配部分高端边缘服务器及5G核心网元设备对高容错内存的需求。 需注意：该型号已属美光DDR4成熟产品线，当前新设计建议评估其DDR5替代方案（如MT61HFA2G48A系列），但仍在大量在役服务器中稳定运行。兼容性依赖主板BIOS支持及系统QVL列表，部署前应核查厂商认证清单。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR2 512MB 240-DIMM VLP |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT18HVF6472Y-53EB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 封装/外壳 | 240-DIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 533MT/s |
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