Datasheet下载- 型号： MT18HTF25672FDY-53EA4E3
- 制造商： Micron Technology Inc
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT18HTF25672FDY-53EA4E3由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT18HTF25672FDY-53EA4E3价格参考。Micron Technology IncMT18HTF25672FDY-53EA4E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT18HTF25672FDY-53EA4E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT18HTF25672FDY-53EA4E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT18HTF25672FDY-53EA4E3 是美光（Micron Technology Inc.）推出的一款DDR3L（低电压）RDIMM（Registered DIMM）内存模块，容量为2GB（256MB × 72-bit，含ECC），工作频率为DDR3-1066（PC3-8500R），标称电压1.35V。该模组采用72位总线（含8位ECC校验），支持服务器与工作站级高可靠性应用。 主要应用场景包括： ✅ 企业级服务器：适用于戴尔PowerEdge、HPE ProLiant、联想ThinkSystem等主流品牌中低端双路服务器，承担虚拟化（如VMware ESXi、Hyper-V）、数据库（MySQL、SQL Server基础实例）及Web应用服务等负载。 ✅ 嵌入式工业系统：在空间受限但需稳定运行的工控机、网络设备（如中端防火墙、UTM设备）及医疗成像终端中，提供低功耗、带ECC纠错的可靠内存支持。 ✅ 边缘计算节点：用于轻量级AI推理边缘服务器或IoT网关，满足7×24小时不间断运行对数据完整性的要求（ECC可纠正单比特错误，预防因内存软错误导致的系统崩溃）。 注：该型号属较早期DDR3L产品（约2010年代中期发布），目前已逐步被DDR4/DDR5替代，多见于仍在维保期的存量设备升级或备件替换场景，不推荐用于新设计项目。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡，模块 |
| 描述 | MODULE DDR2 2GB 240FBDIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT18HTF25672FDY-53EA4E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2GB |
| 封装/外壳 | 240-FBDIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 533MT/s |
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