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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMLJ5.0AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMLJ5.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMSMLJ5.0AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSMLJ5.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSMLJ5.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的MSMLJ5.0AE3是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于电路中的过电压保护。该器件属于TVS二极管分类,广泛应用于各类电子系统中,以保护敏感元件免受静电放电(ESD)、雷击浪涌、电感负载切换等引起的瞬态电压损害。 MSMLJ5.0AE3典型应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网接口、USB端口、HDMI及其他高速数据线路,防止ESD和瞬态电压对芯片造成损坏。 2. 工业控制系统:在PLC、传感器和现场总线接口中提供可靠的过压保护,确保恶劣工业环境下的稳定运行。 3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,用于保护外部接口免受静电冲击。 4. 汽车电子系统:适用于车载娱乐系统、导航模块及CAN总线接口,提升汽车电子系统的电磁兼容性(EMC)性能。 5. 电源管理模块:用于直流电源输入端口的瞬态抑制,保护后级电路不受电压尖峰影响。 该TVS器件具有低钳位电压、响应速度快、可靠性高等特点,适合需要高性能保护方案的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10563-msml-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | MSMLJ5.0AE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | - |
供应商器件封装 | DO-214AB |
其它名称 | 1086-9056 |
功率-峰值脉冲 | 3000W (3kW) |
包装 | 散装 |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DO-214AB,SMC |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 6.4V |
电压-反向关态(典型值) | 5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 9.2V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 326A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |