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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MSD42SWT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD42SWT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD42SWT1价格参考。ON SemiconductorMSD42SWT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSD42SWT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSD42SWT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSD42SWT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型小信号双极结型晶体管（BJT），采用SOT-323（SC-70）超小型表面贴装封装，具有低饱和电压、高直流电流增益（hFE典型值达200@IC=10mA）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备中的负载开关与电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于控制LED背光、传感器供电或外设电源通断，利用其低VCE(sat)（<0.15V @ IC=10mA）减小功耗； 2. 逻辑电平转换与接口驱动：在MCU GPIO驱动能力不足时，作为反相器或电流放大级，实现3.3V/1.8V逻辑与外围器件（如继电器、LED、蜂鸣器）的可靠接口； 3. 电池供电系统的低功耗检测电路：如电池电压监测、充电状态指示等模拟前端中的信号调理与开关控制； 4. 消费类电子中的信号放大与开关应用：如音频输入级前置放大、红外接收模块的信号整形、按键消抖电路等。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥2kV），适用于空间受限且对可靠性要求较高的工业与消费类场景。需注意其最大集电极电流IC仅为200mA，不适用于大功率驱动，设计时应合理设置基极限流电阻以确保饱和导通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SS GP NPN 300V SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSD42SWT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 1mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MSD42SWT1OS |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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