【未分类_MRFG35003NT1】封装/厂家_MRFG35003NT1中文资料_价格

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型号： MRFG35003NT1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003NT1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003NT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFG35003NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFG35003NT1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）N沟道增强型 GaAs pHEMT MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.7 GHz（支持 LTE、WCDMA、WiMAX 等主流蜂窝频段），输出功率达 3 W（连续波，CW），功率增益约 14 dB，PAE（功率附加效率）高达 60%（在 2.14 GHz、3 W 输出时）。

主要应用场景包括：  
✅ 基站射频前端：用于小型蜂窝（Small Cell）、微微基站（Pico/Femto Cell）及分布式天线系统（DAS）中的末级或驱动级功率放大器；  
✅ 无线通信基础设施：适用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基带中频至射频链路的宽带功率放大模块；  
✅ 工业与专用无线设备：如公共安全通信（TETRA、P25）、无线回传（Point-to-Point Microwave）、物联网网关射频模块等；  
✅ 测试与测量设备：作为信号源或功率放大单元，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试等场景。

该器件采用 SOT-89 封装（含金属散热片），具备良好热稳定性与可靠性，支持单电源供电（+5 V 或 +7 V），内置ESD保护，简化外围设计。因其高线性度与低噪声特性，亦可应用于要求严苛的宽带多载波（MC-WCDMA、OFDM）发射系统。  

（注：MRFG35003NT1 已进入 NXP 的产品生命周期终止（EOL）阶段，新设计建议参考其升级替代型号如 MRF3500NBR1 或最新 RF Power Portfolio。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFG35003NT1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	PLD-1.5
功率-输出	3W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	11.5dB
封装/外壳	PLD-1.5
晶体管类型	pHEMT FET
标准包装	1,000
电压-测试	12V
电压-额定	15V
电流-测试	55mA
频率	3.55GHz
额定电流	1.3A