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- 型号： MRFG35003MT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003MT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003MT1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003MT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35003MT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003MT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35003MT1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（实际为增强型场效应晶体管，常归类于射频MOSFET范畴），采用SOT-89-3封装，工作频率高达3.5 GHz，典型用于2.4–2.5 GHz及3.4–3.6 GHz频段。其主要应用场景包括： • Wi-Fi 5/6 前端模块（FEM）：作为2.4 GHz和5 GHz频段的功率放大器（PA），支持高线性度与高效率，适用于路由器、AP、CPE等无线接入设备； • 物联网（IoT）与智能终端射频前端：在低功耗、小尺寸要求的Wi-Fi模组（如USB网卡、嵌入式Wi-Fi模块）中提供稳定射频输出； • ISM频段工业通信系统：用于2.4 GHz工业遥控、无线传感器网络（WSN）、Zigbee/Thread共存系统中的发射链路； • 小型基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）：作为微蜂窝或室内覆盖单元中的末级驱动放大器，满足中等功率（P1dB约27 dBm）、高增益（>15 dB）需求。 该器件具备高增益、优良的OIP3线性度及良好的热稳定性，配合匹配电路可实现高效宽带匹配，广泛应用于对尺寸、功耗与射频性能平衡要求严苛的消费电子与通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35003MT1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 55mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 1.3A |
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