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- 型号： MRFG35003M6T1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003M6T1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003M6T1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003M6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35003M6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003M6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35003M6T1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）增强型 GaN（氮化镓）HEMT 功率晶体管，专为高频、高效率射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 2.4–3.8 GHz，适用于 5G 小基站（Small Cell）、Wi-Fi 6/6E（802.11ax）接入点、毫米波前传/回传系统及宽带无线通信基础设施。 该器件采用表面贴装塑料封装（SOT-1227），集成优化的输入/输出匹配网络，支持单级宽带匹配设计，简化 PCB 布局；具备高增益（典型>17 dB）、高功率附加效率（PAE >55% @ 3.5 GHz）、高输出功率（Pout >3 W CW 或 >6 W pulsed）及优异的热稳定性，适合连续波（CW）与脉冲调制（如OFDM、256-QAM）信号放大。 典型应用场景包括： • 5G Sub-6 GHz 室内微基站（pico/femto cell）末级功率放大器（PA）； • 高性能企业级 Wi-Fi 6E 接入点（AP）的 2.4/5/6 GHz 频段射频前端； • 点对点微波链路、宽带无线接入（WBA）设备中的中功率发射模块； • 测试仪器、射频能量发生器等工业/科研射频源。 需配合外部直流偏置电路（Vds=28 V，Vgs可调）及适当散热设计（建议使用金属基板或热过孔加强导热）。不适用于低频开关或数字逻辑应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35003M6T1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 9dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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