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- 型号： MRFE6S9205HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9205HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9205HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9205HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9205HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9205HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9205HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.0 GHz（支持 1800–2000 MHz 宽带），额定输出功率达 200 W（连续波，CW）或 500 W（脉冲），具备高增益（约 18 dB）、高效率（典型漏极效率 >65%）和优异的热稳定性。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝基站射频功放：广泛用于 4G LTE 及 5G Sub-6 GHz 基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于宏基站和中继站的多载波（MC-CDMA/OFDMA）信号放大； ✅ 无线通信基础设施：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的宽带射频发射链路； ✅ 广播与工业射频源：适用于 UHF 频段电视广播激励器、RF 加热、等离子体发生器等需要稳定大功率射频输出的工业设备； ✅ 雷达与电子对抗（EW）系统：在商用及部分军用级 L/S 波段雷达发射模块中，作为高可靠性、高线性度的固态功率放大核心器件。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷/液冷散热，集成ESD保护与高鲁棒性设计，可在严苛环境（如高温、高VSWR）下长期可靠运行。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级进行优化设计以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9205HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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