Datasheet下载- 型号： MRF9210R3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9210R3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9210R3价格参考。Freescale SemiconductorMRF9210R3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9210R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9210R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9210R3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）N沟道LDMOS功率晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），常用于蜂窝通信基础设施。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站功放（PA）：适用于宏基站、微基站及有源天线单元（AAU）中的末级射频功率放大器，支持高效率（典型PAE > 55%）、高增益（约18 dB）和高输出功率（连续波下可达10 W，脉冲/调制信号下支持更高峰值功率）。 - WCDMA/HSPA+ 和 LTE FDD/TDD 基站发射链路：满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）指标，适配QPSK、16-QAM、64-QAM等复杂调制信号。 - 小基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）：凭借紧凑封装（SOT-1222A，带散热焊盘）、良好热稳定性及内置ESD保护，适合空间受限、需高可靠性部署的室内/室外覆盖场景。 - 工业与专用无线通信设备：如公共安全宽带通信（TETRA、P25增强型）、专网LTE（B-TrunC）及毫米波前传/回传系统的中继射频模块。 该器件支持50 V供电，具备优异的热性能与长期可靠性，符合RoHS标准，广泛应用于通信设备制造商（OEM）的射频功率放大器设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN 860C3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9210R3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.9A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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