【未分类_MRF9135LSR3】封装/厂家_MRF9135LSR3中文资料_价格

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型号： MRF9135LSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9135LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9135LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF9135LSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF9135LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9135LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF9135LSR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大设计。其典型工作频率范围为1.8–2.2 GHz（支持LTE Band 1/3/25/34/39等），额定输出功率达35 W（连续波，CW），具备高增益（约17 dB）、高功率附加效率（PAE ≈ 60%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 4G/5G蜂窝基站：用于宏基站或小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），尤其适用于TDD-LTE与NR（n78等Sub-6 GHz频段）的中功率射频前端；  
✅ 无线通信基础设施：如直放站、分布式天线系统（DAS）、室内覆盖设备中的宽带射频功放模块；  
✅ ISM频段工业设备：在2.4 GHz ISM频段内用于RF加热、等离子体发生器、医疗射频设备（如理疗仪）等需稳定连续波输出的场景；  
✅ 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试系统的激励级。

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），集成ESD保护，支持高可靠性连续波及调制信号（如OFDM、QAM）工作，并通过AEC-Q200应力测试，亦适用于部分车规级通信模块（如V2X RSU射频单元）。需配合匹配网络与高效散热设计（推荐使用铜基PCB或金属底座）以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF9135LSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	25W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.8dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	1.1A
频率	880MHz
额定电流	10µA