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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9045LSR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9045LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF9045LSR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF9045LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF9045LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF9045LSR5 是一款射频MOSFET晶体管,属于高性能射频功率放大器器件,主要应用于无线通信领域的射频功率放大环节。该器件基于LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)技术,具有高增益、高效率和良好的热稳定性,适用于频率范围在800MHz至1000MHz之间的应用。 典型应用场景包括:陆地移动无线电(如公共安全通信、应急通信系统)、蜂窝通信基础设施(如基站中的功率放大模块)、工业与商业射频设备以及广播通信系统。MRF9045LSR5特别适合用于需要高线性度和稳定输出功率的场合,例如在4G LTE和部分5G网络的分布式基站或小型基站中作为驱动级或末级功率放大器。 此外,该器件采用紧凑的封装形式(如SOT-1227B),便于集成到高密度电路板中,并具备良好的散热性能,适合在高温环境下长期稳定运行。其高可靠性和一致性也使其广泛应用于对通信质量要求较高的专业领域。 总之,MRF9045LSR5是一款专为中高频段射频功率放大设计的关键元器件,广泛服务于现代无线通信基础设施,尤其适用于移动通信基站和专业无线通信系统中对高效能、高可靠性有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9045LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360 短引线 |
| 功率-输出 | 55W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.8dB |
| 封装/外壳 | NI-360S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 10µA |