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- 型号： MRF9030NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9030NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9030NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF9030NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9030NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9030NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9030NBR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 900–1000 MHz 频段设计，典型工作频率为 925–960 MHz（如 GSM900、GSM-R、PMR/TCM 等），具备高增益（典型 17 dB）、高效率（典型 65%）和优异的线性度与热稳定性。 主要应用场景包括： 1. 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macro Base Station）的末级功放（PA），支持 GSM、EDGE、WCDMA 和窄带 LTE（如Band8）等制式； 2. 无线通信基础设施：适用于中继站、微基站及分布式天线系统（DAS）中的射频功率输出级； 3. 工业与专用通信系统：如铁路通信（GSM-R）、公共安全集群系统（TETRA、P25）、数字地面广播（DTMB）发射模块； 4. 高可靠性射频子系统：凭借其陶瓷封装（SOT-1229A）、内置ESD保护及宽安全工作区（SOA），适合连续波（CW）或高占空比脉冲应用，如雷达辅助通信或测试仪器激励源。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常以AB类或高效E类配置驱动，典型输出功率达30 W（连续波）或峰值40 W（脉冲）。不适用于高频段（如2.6 GHz以上）或低功耗消费类设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9030NBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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