Datasheet下载- 型号： MRF9030LSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9030LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9030LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF9030LSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9030LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9030LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9030LSR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为 900 MHz 频段设计（典型工作频率：869–960 MHz），采用高可靠性陶瓷封装（SOT-1227A），具备30 W连续波（CW）输出功率能力。 其主要应用场景包括： ✅ 蜂窝通信基站前端：广泛用于GSM、LTE-FDD/TDD、NB-IoT等900 MHz频段的宏基站和微基站射频功率放大器（PA）模块，尤其适用于中功率级（Driver/Output Stage）。 ✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及直放站（Repeater）中的射频功放单元。 ✅ 工业与专用通信系统：支持PMR（专业移动无线电）、TETRA、LTE专网等需高效率、高线性度与稳定热性能的场景。 该器件具备高增益（典型17 dB）、高功率附加效率（PAE > 60% @ 945 MHz）、优异的热稳定性和内置ESD保护，支持宽带匹配设计，便于简化外围电路。其RoHS合规封装适合自动化贴装，满足通信设备对可靠性、寿命及批量生产的严苛要求。 综上，MRF9030LSR5 是面向900 MHz无线通信基础设施中关键射频功率放大环节的核心器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9030LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360S |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | NI-360S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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