【未分类_MRF9002NR2】封装/厂家_MRF9002NR2中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF9002NR2
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9002NR2由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9002NR2价格参考。Freescale SemiconductorMRF9002NR2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF9002NR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9002NR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF9002NR2 是 NXP（恩智浦）出品的高性能射频 MOSFET 晶体管，属于 LDMOS 工艺的 N 沟道增强型器件，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括：  
- 蜂窝通信基站：适用于 800–1000 MHz 频段（如 GSM、CDMA、LTE FDD 的低频段），常用于宏基站或中继站的末级功率放大器（PA），支持连续波（CW）或复杂调制信号（如 OFDM、W-CDMA）下的高效率、高线性度输出；  
- 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及有源天线单元（AAU）中的射频功放模块；  
- 工业与广播应用：可用于 UHF 频段的无线麦克风、RFID 读写器、医疗射频设备及模拟/数字电视广播激励器等中功率射频发射场景。  

该器件采用 TO-270WB-4 封装，具备优良的热稳定性、高增益（典型 18 dB @ 945 MHz）和输出功率能力（典型 P1dB ≈ 25 W，饱和输出功率 > 30 W），配合匹配电路可实现高效率（>60%）与良好互调抑制（IMD3 ≤ –30 dBc）。需搭配适当的散热设计、输入/输出阻抗匹配网络及偏置电路使用。  

注意：MRF9002NR2 已进入 NXP 的产品生命周期终止（EOL）阶段，新设计建议评估替代型号（如 MRF9002NBR2 或最新一代 Airfast® 系列），并参考官方数据手册进行射频布局与热管理设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF9002NR2
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	16-PFP
功率-输出	37dBm
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	16-SOP（0.276"，7.00mm 宽）
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1,500
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	25mA
频率	960MHz
额定电流	-