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- 型号： MRF8S26120HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S26120HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S26120HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S26120HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S26120HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S26120HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S26120HR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为2.6–2.7 GHz频段设计（典型工作频段：2620–2690 MHz），主要用于4G LTE及5G NR基站的宏蜂窝/微蜂窝射频功率放大器（PA）前端。其典型应用场景包括： - 移动通信基站：作为B41（TDD-LTE）、n41（5G NR）频段的末级功率放大器核心器件，支持高效率、高线性度的信号放大； - 多载波宽带系统：具备优异的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）性能，适用于20–100 MHz带宽的多载波Doherty架构PA设计； - 远程射频单元（RRU）与有源天线单元（AAU）：凭借高增益（典型16 dB）、高输出功率（连续波下120 W，脉冲/平均功率应用中支持~60 W平均输出）及良好热稳定性，适配紧凑型、高集成度射频模块； - 工业与专用无线系统：如公共安全通信、点对点回传链路等需高可靠性、高效率射频功放的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高功率密度散热，配合NXP提供的匹配网络参考设计与模型（如ADS模型），可加速基站PA开发。需注意其为高电压（VDD=32 V）器件，须配合专业射频偏置电路与稳定性设计以确保长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S26120HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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