Datasheet下载- 型号： MRF8S21100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21100HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S21100HSR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为2.1 GHz频段（如WCDMA、LTE、5G Sub-6 GHz基站）设计。其典型应用场景包括： - 宏蜂窝/微蜂窝基站功率放大器（PA）：支持2110–2170 MHz频段，适用于4G LTE和5G NR基站的末级功放，具备高输出功率（100 W连续波或更高峰值功率）、高增益（约18 dB）和高效率（典型PAE > 60%），可降低系统功耗与散热需求。 - 无线基础设施设备：用于分布式基站（BBU+RRU）、有源天线单元（AAU）及小基站（Small Cell）中的宽带射频前端模块，支持多载波信号（如2×20 MHz LTE）和复杂调制（256-QAM），具备优异的线性度与ACLR性能。 - 工业与广播通信系统：适用于ISM频段相近的专用无线通信、点对点微波中继、公共安全通信（如TETRA增强型）等需高可靠性射频功率输出的场景。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），集成ESD保护，支持高VSWR耐受能力（≥10:1），提升系统鲁棒性；配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，易于实现稳定、高效的射频设计。广泛应用于电信设备制造商（如华为、爱立信、诺基亚供应链）的基站射频子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V NI780HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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