Datasheet下载- 型号： MRF8S19140HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S19140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S19140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S19140HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S19140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S19140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S19140HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1990 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝功率放大器。其主要应用场景包括：4G LTE 和 5G NR（Sub-6 GHz）基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于多载波、高效率、高线性度要求的场景；支持 Doherty 架构，可配合包络跟踪（ET）或数字预失真（DPD）技术，提升整机效率与ACLR性能；亦可用于无线基础设施中的远程射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）及小基站（Small Cell）的发射链路。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异的热稳定性和功率处理能力（连续波输出功率达140 W，脉冲模式更高），支持高增益（典型18 dB）、高漏极效率（>55% @ 1.96 GHz, 2×20 MHz LTE信号）。广泛应用于全球主流通信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的基站射频功放模块中，是面向高可靠性、高集成度无线基础设施的关键功率器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S19140HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.96GHz |
| 额定电流 | - |
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