【未分类_MRF8P9300HSR6】封装/厂家_MRF8P9300HSR6中文资料_价格

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型号： MRF8P9300HSR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P9300HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P9300HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P9300HSR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P9300HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P9300HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P9300HSR6 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）功率 MOSFET，专为 900 MHz 频段设计（典型工作频率：869–960 MHz），采用高可靠性陶瓷封装（SOT-1222A / NI-780H），具备300 W 连续波（CW）输出能力及优异的热稳定性和增益特性。

其主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站射频功放：广泛用于 2G/3G/4G（如 GSM、EDGE、UMTS、LTE-FDD/TDD）宏基站及中继站的末级功率放大器（PA），尤其适配900 MHz频段的高效率、高线性度需求；  
✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和远程射频单元（RRU）中的宽带射频功率模块；  
✅ 工业与广播应用：适用于ISM频段（如915 MHz）的射频加热、等离子体发生器及专业无线通信系统；  
✅ 军事与航空通信：在符合军规环境要求（通过JEDEC JESD22-A108高温寿命测试）下，可用于战术电台、雷达激励级或电子对抗（EW）系统的固态射频发射链路。

该器件支持AB类偏置，具备高功率增益（>18 dB）、高漏极效率（>65% @ 945 MHz）及出色的互调失真（IMD）抑制性能，配合NXP推荐的匹配电路与散热方案（需强制风冷或液冷），可实现长期稳定运行。不适用于5G Sub-6 GHz大规模MIMO有源天线单元（AAU），因其非多频段/宽带优化型设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8P9300HSR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S
功率-输出	100W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.4db
封装/外壳	NI-1230S
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	150
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	2.4A
频率	960MHz
额定电流	-