【未分类_MRF8P23080HR5】封装/厂家_MRF8P23080HR5中文资料_价格

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型号： MRF8P23080HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P23080HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P23080HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P23080HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P23080HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P23080HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P23080HR5 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的高性能射频LDMOS MOSFET功率晶体管，专为2.3–2.7 GHz频段设计（典型工作频段：2300–2400 MHz及2500–2700 MHz），主要用于宽带无线通信系统的末级功率放大。其典型应用场景包括：

- 4G LTE/5G NR基站：适用于宏基站（Macrocell）和小型基站（Small Cell）的射频功率放大器（PA），支持高效率、高线性度的多载波信号放大，满足ACLR和EVM等严苛指标；
- 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及大规模MIMO阵列中的射频功放模块；
- 点对点微波回传：在2.3–2.7 GHz频段的中短距无线回传链路中提供高增益与稳定输出（典型P1dB达80 W，Gps > 16 dB）；
- 公共安全与专网通信：支持TDD-LTE或宽带集群通信（如PDT、TETRA演进系统）的高可靠性射频发射前端。

该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热性能与功率密度，支持高电压（VDD = 28 V或32 V）工作，集成ESD保护，适合连续波（CW）及复杂调制信号（如OFDMA、256-QAM）下的长期可靠运行。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF8P23080HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780-4
功率-输出	16W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14.6dB
封装/外壳	NI-780-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	280mA
频率	2.3GHz
额定电流	-