Datasheet下载- 型号： MRF7S35120HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S35120HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S35120HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S35120HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S35120HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S35120HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S35120HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 3.5 GHz 频段（如 WiMAX、WLAN 回传、5G 小基站及点对点微波通信）设计。其典型应用场景包括： - 5G 毫米波/Sub-6 GHz 基站前端模块：适用于小型蜂窝（Small Cell）、pico/femto 基站中的末级功率放大器（PA），支持高效率（典型 PAE > 40% @ 3.5 GHz）、高增益（>15 dB）和宽带线性工作； - 宽带无线接入系统：用于 3.3–3.8 GHz 频段的 WiMAX（IEEE 802.16e）、LTE-TDD 及 5G NR n77/n78 频段的基站发射链路； - 点对点（PtP）与点对多点（PtMP）微波回传设备：满足高输出功率（120 W 脉冲/60 W 平均）、高可靠性要求，适用于 1–2 km 中短距高速回传； - 军用/航空通信与雷达辅助模块：在非连续波（如 TDD、OFDM）调制下具备良好线性度与热稳定性，支持DPD（数字预失真）校准。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），集成源极键合焊盘与优化热路径，适配高功率密度PCB布局，并通过AEC-Q200兼容性验证，兼顾工业级可靠性。需配合匹配网络、散热器及稳定偏置电路使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S35120HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 120W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 3.1GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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