Datasheet下载- 型号： MRF7S35120HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S35120HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S35120HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S35120HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S35120HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S35120HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S35120HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为宽带、高功率、高效率的3.5 GHz频段应用设计。其典型应用场景包括： - 5G基站基础设施：适用于3.4–3.8 GHz频段（如n77/n78频段）的宏基站和小基站（Small Cell）末级功率放大器（PA），支持高线性度调制（如256-QAM、OFDMA），满足5G NR对带宽与EVM的严苛要求。 - 无线通信系统：用于点对点微波回传、WLAN 6E扩展频段（如U-NII-5/6）及专用无线宽带设备中的射频功放模块。 - 工业与科研设备：在射频加热、等离子体发生器、MRI射频源等需要稳定连续波（CW）或脉冲大功率输出的场景中提供可靠驱动能力（典型P1dB = 120 W @ 3.5 GHz）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理性能与高可靠性，支持宽带匹配设计，简化外围电路；内置ESD保护，适合严苛电磁环境。需配合NXP推荐的偏置电路与匹配网络使用，以实现最佳效率（典型PAE > 55%）与线性度。 注意：实际应用须严格遵循NXP官方数据手册（DS-MRF7S35120HSR3）的PCB布局、散热及驱动条件要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S35120HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 120W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 3.1GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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