Datasheet下载- 型号： MRF7S27130HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S27130HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S27130HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S27130HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S27130HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S27130HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S27130HSR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，主要应用于2.5 GHz至2.7 GHz频段。该器件广泛用于蜂窝通信基础设施领域，特别适用于4G LTE和5G移动通信基站中的功率放大器设计。 典型应用场景包括宏蜂窝基站、微波链路系统以及高线性度要求的无线网络设备。其高效率、高增益和出色的热稳定性使其在高功率工作条件下仍能保持可靠性能，适合用于多载波、宽带信号放大。此外，该器件采用紧凑型表面贴装封装（如SOT1226），便于集成于紧凑型射频模块中，支持现代通信系统对小型化和高密度布局的需求。 MRF7S27130HSR3还具备良好的抗驻波比（VSWR）耐受能力，可在复杂负载条件下稳定运行，提高系统可靠性。因此，它常被用于城市密集区域基站、室内分布系统及公共安全通信网络等关键场景，确保高质量、高稳定性的无线信号覆盖与传输。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 23W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S27130HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 2.5GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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