Datasheet下载- 型号： MRF7S21210HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21210HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21210HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21210HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21210HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21210HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21210HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD 和 5G Sub-6 GHz 基站）设计。其典型应用场景包括： - 宏基站功率放大器（PA）：适用于 2.14–2.17 GHz LTE/5G NR 频段，支持高输出功率（连续波下可达 100 W，脉冲/平均工作模式下满足多载波信号需求），具备高增益（>18 dB）和高功率附加效率（PAE > 60%），显著降低基站功耗与散热压力。 - 无线通信基础设施：广泛用于室外宏蜂窝、微蜂窝基站及分布式天线系统（DAS）中的末级射频功放模块，支持宽带调制信号（如 OFDM、256-QAM），满足高线性度要求（ACLR < –45 dBc）。 - 工业与专用通信系统：适用于点对点微波回传（部分2.1 GHz频段）、公共安全宽带通信（如 TETRA 或 LTE-based P25）及航空/航海地空链路等高可靠性射频发射场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高热稳定性与长期可靠性，配合匹配电路可实现优异的输入/输出阻抗匹配，简化射频前端设计。需配合NXP推荐的偏置电路、驱动级及散热方案（如强制风冷或液冷）以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 63W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21210HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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