Datasheet下载- 型号： MRF7S21110HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21110HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21110HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21110HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21110HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21110HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21110HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/4/34/35等）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和中继站的末级射频功放模块，支持高输出功率（110 W P3dB）、高增益（≥16 dB）和高效率（典型PAE > 60%），满足5G前传及4G LTE网络对容量与覆盖的需求。 - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带系统（如20 MHz × 2–4 MC-WCDMA），具备优异线性度与ACLR性能，配合DPD（数字预失真）技术可满足严苛的3GPP发射规范。 - 微波通信与专网系统：在点对点回传、公共安全通信（如TETRA/LTE-based PMR）及小型化分布式基站（pico/femto cell）中，凭借高可靠性（10年MTTF）、集成ESD保护及陶瓷封装（NI-780H）优势，适应高温、高湿等严苛环境。 该器件需搭配匹配电路与稳定散热设计（建议使用铜基PCB或金属底座），常与NXP配套驱动芯片（如MMRF1022）协同工作，构成高效射频前端方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 33W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21110HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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