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- 型号： MRF7S21080HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21080HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21080HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21080HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21080HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21080HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21080HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/4/34/35等）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：用于宏基站（Macro Base Station）和中继站的末级功率放大器（PA），支持高线性度、高效率（典型漏极效率达55% @ 2.14 GHz, 80 W Pout）及宽带宽操作； - 多载波WCDMA/LTE系统：具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，满足严苛的3GPP线性度要求（如ACLR < –65 dBc @ 5 MHz offset），适用于多载波、高峰均比（PAPR）信号； - 分布式天线系统（DAS）与小型基站（Small Cell）：在紧凑封装（NI-780H-4L）下提供高可靠性与热稳定性，适合空间受限但需高功率密度的部署场景； - 无线基础设施测试设备与广播激励器：作为宽带射频功率源，支持实验室验证与系统集成。 该器件采用高可靠性陶瓷封装，支持连续波（CW）及脉冲工作模式，结温高达200°C，适配风冷或传导冷却方案，广泛应用于4G/5G前传与现网升级场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21080HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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